6月18日消息，臺積電目前正在積極推進3nm制程工藝的開發，預計將在2022年下半年量產。昨日，臺積電重要合作伙伴——應用材料、新思科技同步發布了針對最新的3nm制程技術創新性的進展，為臺積電3nm的順利量產提供助力。

應用材料公司昨日表示，推出一種嶄新的布線工程設計方法Endura Copper Barrier Seed IMS ，該方法能促使先進邏輯晶片微縮到3nm節點及更小尺寸。目前全球各大晶圓代工邏輯客戶現已使用Endura Copper Barrier Seed IMS 系統。應用材料已于2021年邏輯晶片大師課程(2021 Logic Master Class) 中，討論更多有關這項系統及其他邏輯芯片微縮創新技術的信息。

另外新思科技近日也宣布針對臺積公司最先進3nm制程技術的進展。新思科技的數位與客制化解決方案已通過臺積公司最新設計參考流程(design-rule manual，DRM)及制程設計套件(process design kits)的認證。植基于多年來的廣泛合作關系，該認證將提供共同優化的工具、流程和方法，使客戶能實現該制程所帶來的最大功耗、效能和面積(PPA)表現，進而加速新一代高效能運算(HPC)、行動、5G和AI 晶片設計的創新。

臺積電設計建構管理處副總經理Suk Lee表示，“臺積公司的先進技術需要全新層次的EDA協作與創新，以實現3奈米制程技術的高效能和低功耗目標。我們與新思科技的長期合作有助于加速客戶取得臺積公司最新制程所提供的優勢，并讓臺積公司最新流程所帶來的效益達到極大化。我們雙方將持續密切合作，為HPC、行動、5G和AI應用實現新一代的設計?！?/p>

根據臺積電的預期，3nm性能可較5nm提升10%至15%，功耗將減少25%至30%，邏輯密度增加1.7倍，SRAM密度提升1.2倍、類比密度則提升1.1倍等。目標3nm量產第一年，客戶產品量能達到5nm兩倍以上，廣泛應用于智能手機與高速運算（HPC）平臺。

臺積電業務開發副總張曉強日前在技術論壇上透露，臺積電認為繼續采用鰭式場效電晶體（FinFET）架構開發3nm制程，能幫助客戶取得成功的最佳方案。